همکاری سامسونگ و «سیناپسیس» در زمینه توسعه تکنولوژی 3 نانومتری برای تولید چیپست گوشی‌های موبایل به ثمربخشی نزدیکتر می‌شود. این موضوع را مدیر و بنیانگذار سیناپسیس Aart de Geus در سفر اخیرش به کره جنوبی و در گفتگو با رسانه‌های محلی اعلام کرد.
او همچنین اعلام کرد که ابزارهای اتوماسیون طراحی الکترونیکی (EDA) این شرکت طی دو یا سه سال آینده آماده تولید انبوه چیپ با تکنولوژی 3 نانومتری سامسونگ خواهد بود. البته این به معنی آمادگی سامسونگ برای تجاری سازی تکنولوژی جدیدش در دو سه سال آینده نیست چرا که به گفته de Geus زمانبندی و تولید انبوه در مقیاس کامل آن به آمادگی خود سامسونگ بستگی خواهد داشت.
سامسونگ کیت طراحی سه نانومتری MBCFET یا Multi-Bridge-Channel FET خود را چند ماه پیش به صورت رسمی معرفی کرد. این تکنولوژی با بهره گیری از تکنیک Gate-All-Around یا همان GAA برای غلبه بر محدودیت‌های کارایی و فیزیکی معماری FinFET در دست توسعه است. این فناوری علاوه بر اینکه سایز چیپ را 45 درصد کاهش می‌دهد، 50 درصد انرژی کمتری مصرف کرده و در نتیجه کارایی را به اندازه 35 درصد افزایش می‌دهد.
تکنولوژی 3 نانومتری
علاوه بر این بر اساس گفته‌های مدیر سیناپسیس با آماده بودن تحهیزات EDA این شرکت برای تولید تکنولوژی جدید سامسونگ، به نظر نمی‌رسد شرکت کره‌ای به مشکلی در زمان تجاری سازی تکنولوژی جدیدش بربخورد.
چیپ‌های تولید شده با فناوری 3 نانومتری در صنایعی مثل موبایل، شبکه، خودرو، هوش مصنوعی و IoT کاربرد خواهد داشت. بر اساس گفته‌های de Geus، هوش مصنوعی هم در آینده صنعت نیمه هادی نقش بسیار مهمی ایفا خواهد کرد و به این وسیله حتی کمپانی‌های کوچک، بدون در اختیار داشتن خطوط ساخت و تولید ادوات نیمه هادی می‌توانند بازار را به چالش بکشند.
در حال حاضر سامسونگ قصد دارد پرچمدار جدیدش یعنی گلکسی نوت 10 را با چیپست 7 نانومتری عرضه کند و این تکنولوژی با پردازنده اگزینوس 9825 به بازار خواهد آمد.
